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DRAM芯片(动态随机储存器)可被分为d个超单元,每个超单元由w个DRAM单位组成。这样的芯片储存了dw位信息。超单元被组织成阵列。每个超单元都有自己的地址:(i,j)。i表示行,j表示列。
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在上图的DRAM芯片中,由16个超单元,每个超单元的w=8(所含字节的位数),4行4列。信息可以通过引脚进行传输。每个引脚携带一位的信号。图中有两组引脚,2个addr引脚,用于传输超单元的行与列的地址。8个data引脚,可传送一个字节的信息。DRAM芯片会与内存控制器相连,内存控制器可以与DRAM芯片进行数据的传送,一次可传送w位的信息。
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内存控制器会将行地址和列地址 i和j发送给DRAM。DRAM会将地址(i,j)的内容发回给内存控制器作为响应。RAS请求和行地址有关,CAS请求与列地址有关。
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假设内存控制器要读出DRAM中的超单元(2,1)。内存控制器发送行地址2,DRAM将整个第二行的内容复制到内存行缓冲区中,内容控制器继续发送列地址1,DRAM的响应是从行缓冲区复制(2,1)的8位内容发送到内存控制器。
内存模块的基本思想
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DRAM封装在内存模块。如图8个64Mbit的8M*8的DRAM芯片。编号从0-7。每个超单元储存一个字节,8个超单元表示主存地址A处的64位字。要取出主存地址A的64位字,需要内存控制器将A转换成超单元地址(i,j),并将其发射至内存模块,内存模块将超单元地址(i,j)广而告之,DRAM响应号召,将其超单元地址(i,j)的内容通过电路合成64位的字,返回给内存控制器。
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多个内存模块连接到一个内存控制器内,聚合成主存。当控制器收到超单元地址A,选择含有A的内存模块k,内存模块k作为响应,将位于A处的内容通过电路传输回内存控制器。
D
RAM
的英文全称是"Dynamic
RAM
",翻译成中文就是"
动态随机
存储器"。。D
RAM
只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,D
RAM
必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。 D
RAM
用于通常的数据存取。我们常说内存有多大,主要是指D
RAM
的容量。
所有的D
RAM
基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图:
上图只是D
RAM
一个基本单位的
结构
示意图:电容器的状态决定了这个D
RAM
单位的逻辑状态是1还是0,但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被
D
RAM
基本组成
https://blog.csdn.net/wangshouchao/article/details/48606639
D
RAM
是由许多重复的单元----cell组成,每一个cell由一个晶体管和一个电容器组成,每一个电容可存储1bit数据量(类比 S
RAM
每存储1bit数据量需要4-6个晶体管)
动态随机
存储器(D
RAM
)是计算机中最常用的内存类型之一,其
工作原理
和
结构
与静态随机存储器(S
RAM
)有所不同。以下是D
RAM
学习中的重点和难点和易错点的总结:
D
RAM
单元部分的布线如图所示,具有用于单元选择的字线,并且各个单元与数据线相连。数据线通过列选择开关或者通过预充电开关分别与公用数据线或者预充电电源相连接。预充电电源的电压大多采用器件电源电压一半左右的电压值。
图 D
RAM
的基本
结构
数据线上具有读出放大器,在这里对数据线上的状态“1”/“0”进行判定以及放大数据线上的电压电平。 图中虚线表示的电容器符号是数据线的寄生电容,正如后面将要叙述的那样,在读出D
RAM
上的数据时,这个寄生电容具有较大的作用。 下面我们来探讨D
RAM
单元的读操作的思路。D
RAM
单元的写人操作是通过确定数据线的状态,将FET设置为ON,然
http://www.wowotech.net/basic_tech/307.html相关文章:D
RAM
原理 2 :D
RAM
Memory OrganizationD
RAM
原理 3 :D
RAM
DeviceD
RAM
原理 4 :D
RAM
TimingD
RAM
原理 5 :D
RAM
Devices Organization1. Storage CapacitorD
RAM
Storage Cell...
bank、rank、channel這些關於記憶體的名詞是否已困繞許久,疑似了解卻又說不出個所以然來。就讓我們一步步拆解記憶體的面紗,從架構到讀寫方式逐步揭開記憶體的秘密。
揮發性記憶體分 2 種,S
RAM
和 D
RAM
RAM
...
前面我们知道了在一个简单的S
RAM
芯片
中进行读写操作的步骤了,然后我们来了解一下普通的D
RAM
芯片
的工作情况。D
RAM
相对于S
RAM
来说更加复杂,因为在D
RAM
存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新,这也是它们之间最大的不同。
1. 多路寻址技术最早、最简单也是最重要的一款D
RAM
芯片
是Intel 在1979 年发布的2188,这款
芯片
是16Kx1 D
RAM
18 线D...
从http://blog.sina.com.cn/s/blog_6b489d5e0102xmup.html处转载本文要点提示:
1. D
RAM
的
工作原理
图文解说,包括读写以及存储;
2. 揭秘D
RAM
便宜但S
RAM
贵之谜。学D
RAM
这块内容比较久了,尤其之前跟着一个精通内存的同事(后来跳到了三星)学到了一些。也做了很多笔记,试着用自己认为通俗系统的图片和文字来解说,D
RAM
一个基本单元的工作原
图(b)是该
芯片
的逻辑
结构
图。与S
RAM
不同的是: 1. 增加了行地址锁存器和列地址锁存器。由于D
RAM
存储器资量很大,地址线宽度相应要增加,这势必增加
芯片
地
From: https://mp.weixin.qq.com/s/DVKeQwO8ryiGln0KtR2rBA
【吾生也有涯,而知也无涯。——庄子】
D
RAM
全称
动态随机
存储器,Dynamic random access memory.
关于存储器,主要分为两大类。
一.易失性存储器
RAM
,又分为
动态随机
存储器D
RAM
和静态随机存储器S
RAM
;
二.非易失性存储器,比如磁带,光盘,以及我们后...
半导体D
RAM
芯片
国产化报告
1 D
RAM
为存储器行业支柱性产品,IDM为产业链主流模式...................5
2 D
RAM
市场迭代滞后于技术演变,DDR4及LPDDR4系列中期仍为市场主流产品.......9
3 主流D
RAM
供给:韩美系大厂高度垄断,国内企业夹缝中成长.................14
4 主流D
RAM
需求端:智能手机和服务器需求上行,提振DDR4/DDR5市场.........20
5 利基型D
RAM
市场:三星逐步退出DDR3供给,供给趋于紧俏;需求端景气上行........22
6 国产化替代空间巨大,国内存储器设计企业未来可期..................... 25
图 1 2021年半导体市场规模(百万$)-分产品............................5
图 2 2021年集成电路市场规模(百万$)-分产品 ..........................5
图 3 半导体存储器分类 ........................................6
图 4 FLASH VS D
RAM
..